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IXFN38N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate Input Resistance
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
18
29
24
1245
80
0.78
74
55
71
40
350
150
150
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.125 ° C /W
R thCS
Source-Drain Diode
0.05
° C /W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
38
150
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V
2.5
17
300
ns
μ C
A
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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